Transient measurements with an ultrafast scanning tunneling microscope on semiconductor surfaces

نویسندگان
چکیده

برای دانلود باید عضویت طلایی داشته باشید

برای دانلود متن کامل این مقاله و بیش از 32 میلیون مقاله دیگر ابتدا ثبت نام کنید

اگر عضو سایت هستید لطفا وارد حساب کاربری خود شوید

منابع مشابه

Recent Developments in Scanning Tunneling Spectroscopy of Semiconductor Surfaces

Several recent developments in scanning tunneling spectroscopy (STS) of semiconductor surfaces are reviewed. First, the normalization of spectra is discussed, which for the Si(111)2×1 surface is found to produce a small shift in the apparent position of band edges. With this correction, the surface band gap measured by STS is found to be in good agreement with that obtained by other experimenta...

متن کامل

ذخیره در منابع من


  با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید

ژورنال

عنوان ژورنال: Applied Physics Letters

سال: 1998

ISSN: 0003-6951,1077-3118

DOI: 10.1063/1.121139